NP55N055SDG-E1-AY详细
MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
NP55N055SDG-E1-AY参数
包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):55V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:55A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:9.5 毫欧 @ 28A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):96nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4800pF @ 25V,功率 - 最大值:1.2W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:TO-252（MP-3ZK）
